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元件参数资料
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参数目录40046
> APT10050B2VRG MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX
型号:
APT10050B2VRG
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Microsemi Power Products Group
描述:
MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
APT10050B2VRG PDF
标准包装
30
系列
POWER MOS V®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
500 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
500nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
7900pF @ 25V
功率 - 最大
520W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 变式
供应商设备封装
T-MAX? [B2]
包装
管件
查看APT10050B2VRG代理商
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